募资额创A股十年之最中芯国际荣登科创板市值榜首
2020-07-17 08:17:33 |来源:证券日报
7月16日,万众瞩目的中芯国际正式登陆科创板。截至收盘,中芯国际股价报收于82.92元/股,涨幅202%,总市值达5918亿元,成功荣登科创板企业市值榜首。
中芯国际首日开盘价报95元,较发行价上涨246%,开盘后五分钟内,成交金额达144亿元,半小时吸金超262亿元,早市成交额突破383亿元,全天交易额突破479.67亿元。
在上市仪式上,中芯国际董事长周子学博士表示:“此次以红筹架构回归A股科创板,充分体现了境内资本市场对科技创新型企业的包容,体现了科创板对关键核心技术创新的支持和对实体经济发展的支撑。上市后,中芯国际将进一步借助境内资本市场的力量,加速创新和发展,为更多的海内外客户提供更加优质的产品和服务,推动公司不断成长,并为集成电路产业的发展做出积极贡献。我们将兢兢业业,埋头苦干,以持续的创新和发展回报广大投资者的信任。”
中芯国际或成市场风向标
中芯国际股价一路上涨的同时,相关市场并未能够“共荣”。
国信证券研报指出“中芯国际比贵州茅台更珍贵”。国信证券认为,从可替代性来讲,中芯国际与贵州茅台一样不可替代、无法复制。同时,因为稀缺性导致中芯国际具有和贵州茅台同样的议价能力。从社会必要劳动时间的角度看,中芯国际的价值量超越贵州茅台。800年前就有茅台了,而我们奋斗到今天才有中芯国际的14nm先进制程。
国信证券证券分析师何立中认为:“由于AH投资人趋同,AH股价也会趋同,港股股价将会向科创板股价看齐。”
不过从当天中芯国际港股的表现看,上述趋势尚未成立。继7月15日中芯国际港股股价跌近8%后,7月16日,中芯国际股价继续跳水,早间一度跌超25%,截至收盘,其股价为28.75港元,跌幅达到25.23%。
就两地相反的股价走势,香颂资本执行董事沈萌接受《证券日报》记者采访时表示:“中芯国际是A股以及科创板的指标股,从申请、注册再到挂牌都创造了新的纪录,因此全市场对中芯国际都报以最大的期望和支持,而在港股市场,其估值受到国际市场集成电路同业指标的约束。”
沈萌表示,中芯国际这样的明星股并未维持常规的溢价区间。如果按照通常水平,则会带来A股价格受到抑制或者港股走高遭做空的异常表现。
除此之外,中芯国际的概念股也纷纷下跌。Wind显示,早盘收市后,中芯国际概念指数跌幅达到5.22%,其中,长电科技、兆易创新、沪硅产业、至纯科技等个股出现不同程度地下跌,大唐电信和中环股份盘中曾一度跌停。
美通资本董事长陈红兵接受《证券日报》记者采访时表示:“半导体板块已经提前2天开始了回撤,中芯国际上市后会成为市场的风向标,短期内,如果中芯国际(股价)继续保持上行趋势,那么科技股有机会继续向上。”
超500亿元募资剑指14nm
发行公告显示,超额配售选择权行使前,中芯国际募集资金总额为462.87亿元;全额行使超额配售选择权后,公司募集资金总额为532.3亿元,刷新科创板IPO募资额历史。
此外,Wind显示,按532.3亿元的募资额计算,中芯国际募资额目前在A股IPO募资史上排名前五,高于2019年12月份上市的邮储银行和2020年1月份上市的京沪高铁,成为A股10年以来募资最大规模的IPO。
产业时评人张书乐在接受《证券日报》记者采访时表示:“中芯国际这种超高募资额本身就表现出了市场的期待,也是企业自身规划蓝图规模的体现。而且,其产业前景本身带有‘解锁’的意味,与半导体有关的高科技产业也急需有此类企业强势崛起。这不仅仅是资本看好的问题,也是国内产业自身发展迫切需要的存在。”
据悉,中芯国际拟将募集资金的40%用于12英寸芯片SN1项目,20%用于公司先进及成熟工艺研发项目的储备资金,以及40%将用作补充流动资金。其中的12英寸芯片SN1项目指的是此前耗资建设的两大晶圆厂之一的中芯南方,此晶圆厂系公司14纳米及未来先进工艺的主要生产地。
中芯国际为国内晶圆制造龙头厂商,市占率全球第四,国内第一。2019年14nmFinFET正式量产,先进制程节点带动国内半导体产业链同步崛起。2019年下半年以来,中芯国际在28nm以上成熟制程维持较高景气度,产能利用率得到持续提升,销售毛利率2019年触底反弹。2020年第一季度,中芯国际收入为64.01亿元,同比增长38.42%。晶圆出货量折合成8英寸为140.67万片,同比增长29%;销售毛利率回升至25.81%,预计随着14nm先进制程的放量,销售毛利率将持续上行。一季度的扣非后净利润为1.42亿元,相比2019年同期-3.29亿元,实现盈利。公司预计,2020年第二季度收入环比增长3%-5%,收入区间为65.93亿元~67.21亿元,同比增长21%~23%,持续高增长。
中芯国际联席CEO梁孟松曾表示,公司的N+1(第二代FinFET)目前研发进程稳定,已进入客户导入及产品认证阶段,预计2020年第四季度可以有小量产出。公司预计,第二代FinFET技术有望在性能上提高约20%,功耗降低约60%。
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